Paper ini membahas pengaruh perubahan stripe emitter area (Ae) dan fraction mole (x) terhadap unjuk kerja heterojunction bipolar transistor (HBT) SiGe antara lain resinstensi parasitis Rb dan Rc fT fmaks curren gain ( beta ) serta noise figure (Fn ) model dikembangkan dari HBT SiGe IBM generasi kedua dengan Ae 0 18 x 10 micro m2. Saat Ae diturunkan menjadi Ae 0 12 x 10 micro m2 dan Ae 0 09 x 10 micro m2 dan fraction mole (x) dinaikkan menjadi dua kali (2) maka parameter RB dan beta mempunyai relasi positif sedangkan Rc fT fmaks negatif terhadap perubahan tersebut. Model HBT SiGe dengan x 0 1 dan Ae 0 18 x 10 micro m2 mempunyai nilai Fn minimum terendah dibanding dengan Ae 0 12 x 10 micro m2 dan 0 09 x 10 micro m2 yaitu 0 57dB 0 064 dB 0 69 dB. Jika nilai fraction mole (x) diturunkan 50% menyebabkan kenaikan Fn yang tidak linier yaitu 77% 79% dan 89% dari nilai semula. Relasi noise figure (Fn) dengan stripe emitter area (Ae) memiliki hubungan negatif sedangkan dengan fraction mole (x) memiliki hubungan positif jadi noise figure (Fn) dapat dibuat rendah dengan memperkecil stripe emitter area (Ae) dan menaikkan fraction mole (x)