

<?xml version="1.0" encoding="UTF-8" ?>
<modsCollection xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xmlns="http://www.loc.gov/mods/v3" xmlns:slims="http://slims.web.id" xsi:schemaLocation="http://www.loc.gov/mods/v3 http://www.loc.gov/standards/mods/v3/mods-3-3.xsd">
<mods version="3.3" id="-66190">
 <titleInfo>
  <title>Perancangan dan Pembuatan Divais Snsor Gas CO Berbasis Indium Timah Oksidan (ITO) dengan Teknologi Lapisan Tipis</title>
 </titleInfo>
 <name type="Personal Name" authority="">
  <namePart>Slamet Widodo dan Goib Wiranto</namePart>
  <role>
   <roleTerm type="text">Primary Author</roleTerm>
  </role>
 </name>
 <typeOfResource manuscript="no" collection="yes">mixed material</typeOfResource>
 <genre authority="marcgt">bibliography</genre>
 <originInfo>
  <place>
   <placeTerm type="text"></placeTerm>
  </place>
  <publisher>Bagian Serial Jurnal Kimia Terapan Indonesia</publisher>
  <dateIssued></dateIssued>
 </originInfo>
 <language>
  <languageTerm type="code">ind</languageTerm>
  <languageTerm type="text">Indonesia</languageTerm>
 </language>
 <physicalDescription>
  <form authority="gmd">Index Artikel</form>
  <extent>Sumber artikel:Jurnal. Halaman: 48-59</extent>
 </physicalDescription>
 <note>Tulisan ini menjelaskan tahapan proses pembuatan mikrodivais yang akan digunakan sebagai platform sensor gas karbon monoksida (CO) berbasis berbasis indium timah oksida (ITO). Divais yang dibuat telah dirancang diatas substrat silikon dengan daerah aktif berukuran 3x3 mm2  dan terdiri dari bonding pad  komponen heater  elektroda  dan sensor temperatur. Lebar jalur minimum adalah 50 mikron  sesuai dengan kemampuan proses fotolitografi yang digunakan. Pembentukan struktur mikrodivais dilakukan utamanya menggunakan teknik lift-offlapisan platina (Pt) yang dilapiskan menggunakan metode DC sputtering dengan lapisan alumunium (Al) sebagai sacrificial layer  Dimensi chip mikrodivais yang dihasilkan berukuran 5 x 5 mm2. Pengujian yang dilakukan untuk mengetahui karakteristik resistance terhadap temperatur dari mikrodivais menunjukkan bahwa elemen heater dan sensor temperatur telah berfungsi seperti yang diharapkan  yaitu nilai resistansinya berubah secara linear dengan kenaikan temperatur substrat antara 20  ndash  200 oC. Rentang kenaikan nilai resistansi untuk heater adalah antara 500  ndash  1000 ohm  sedangkan untuk sensor temperatur antara 100  ndash  300 ohm.</note>
 <subject authority="">
  <topic>1. POLUSI - KENDARAAN BERMOTOR&#13;2. TEKNOLOGI - KARBON MONOKSIDA(GAS) - SENSOR</topic>
 </subject>
 <classification>540.5 JUR</classification>
 <identifier type="isbn"></identifier>
 <location>
  <physicalLocation>UPT Perpustakaan UM Koleksi Bahan Pustaka Perpustakaan UM</physicalLocation>
  <shelfLocator>2</shelfLocator>
 </location>
 <slims:digitals>
  <slims:digital_item id="" url="" path="/" mimetype=""></slims:digital_item>
 </slims:digitals>
 <recordInfo>
  <recordIdentifier>-66190</recordIdentifier>
  <recordCreationDate encoding="w3cdtf">2017-12-07 00:00:00</recordCreationDate>
  <recordChangeDate encoding="w3cdtf">2017-12-07 00:00:00</recordChangeDate>
  <recordOrigin>machine generated</recordOrigin>
 </recordInfo>
</mods>
</modsCollection>