Tulisan ini menjelaskan tahapan proses pembuatan mikrodivais yang akan digunakan sebagai platform sensor gas karbon monoksida (CO) berbasis berbasis indium timah oksida (ITO). Divais yang dibuat telah dirancang diatas substrat silikon dengan daerah aktif berukuran 3x3 mm2 dan terdiri dari bonding pad komponen heater elektroda dan sensor temperatur. Lebar jalur minimum adalah 50 mikron sesuai dengan kemampuan proses fotolitografi yang digunakan. Pembentukan struktur mikrodivais dilakukan utamanya menggunakan teknik lift-offlapisan platina (Pt) yang dilapiskan menggunakan metode DC sputtering dengan lapisan alumunium (Al) sebagai sacrificial layer Dimensi chip mikrodivais yang dihasilkan berukuran 5 x 5 mm2. Pengujian yang dilakukan untuk mengetahui karakteristik resistance terhadap temperatur dari mikrodivais menunjukkan bahwa elemen heater dan sensor temperatur telah berfungsi seperti yang diharapkan yaitu nilai resistansinya berubah secara linear dengan kenaikan temperatur substrat antara 20 ndash 200 oC. Rentang kenaikan nilai resistansi untuk heater adalah antara 500 ndash 1000 ohm sedangkan untuk sensor temperatur antara 100 ndash 300 ohm.